КТ817Г транзистор NPN (3А 100В) 25W (ТО126)(копія)

Номер: КТ817Г
17,20
Есть в наличии

Імпульсна напруга колектор-емітер Uкео(імп) 100В
Тип біполярного транзистора N-P-N
Тип корпусу транзистора Корпус ТО-126
Коефіцієнт підсилення струму h21э: 200-300
Описание

КТ817Г транзистор NPN (3А 100В) 25W (ТО126)

Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Uкэн, В
КТ817А
n-p-n
40 40 3000 (6000) 1(25) 25-275 <=100 =>3 <0.6
КТ817Б 45 45 3000 (6000) 1(25) 25-275 <=100 =>3 <0.6
КТ817Б2 45 45 3000 (6000) 1(25) =>100 <=100 =>3 <0.12
КТ817В 60 60 3000 (6000) 1(25) 25-275 <=100 =>3 <0.6
КТ817Г 100 90 3000 (6000) 1(25) 25-275 <=100 =>3 <0.6
КТ817Г2 100 90 3000 (6000) 1(25) =>100 <=100 =>3 <0.12

Корпус:
КТ817 package view

Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо - Обратный ток коллектора
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Характеристики
Імпульсна напруга колектор-емітер
Uкео(імп) 100В
Тип біполярного транзистора
N-P-N
Імпульсний струм колектор-емітер
Iкmax(імп), 3А
Тип корпусу транзистора
Корпус ТО-126
Коефіцієнт підсилення струму
h21э: 200-300
Отзывы покупателей
Пока нет ни одного отзыва. Оставьте отзыв первым
Написать отзыв
Имя
E-mail
Отзыв
Рейтинг