КТ502Б транзистор PNP (350мА 40В) (h21э: 80-240) 0,35W (ТО92)

Номер: КТ502Б
3,44
Есть в наличии

Імпульсна напруга колектор-емітер Uкео(імп) 40В
Тип біполярного транзистора P-N-P
Тип корпусу транзистора Корпус ТО-92
Коефіцієнт підсилення струму h21э: 200-300
Описание

КТ502Б транзистор PNP (350мА 40В) (h21э: 80-240) 0,35W (ТО92)

Наимен. тип Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), Вт h21э Iкбо, мкА fгр., МГц Кш, Дб
КТ502А
p-n-p
40 25 150(350) 0.35 40-120 <=1 =>350 -
КТ502Б 40 25 150(350) 0.35 80-240 <=1 =>350 -
КТ502В 60 40 150(350) 0.35 40-120 <=1 =>350 -
КТ502Г 60 40 150(350) 0.35 80-240 <=1 =>350 -
КТ502Д 80 60 150(350) 0.35 40-120 <=1 =>350 -
КТ502Е 90 80 150(350) 0.35 40-120 <=1 =>350 -

Корпус:
КТ502 package view

Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо - Обратный ток коллектора
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Кш - коэффициент шума биполярного транзистора

Характеристики
Імпульсна напруга колектор-емітер
Uкео(імп) 40В
Тип біполярного транзистора
P-N-P
Імпульсний струм колектор-емітер
Iкmax(імп), 350мА
Тип корпусу транзистора
Корпус ТО-92
Коефіцієнт підсилення струму
h21э: 200-300
Отзывы покупателей
Пока нет ни одного отзыва. Оставьте отзыв первым
Написать отзыв
Имя
E-mail
Отзыв
Рейтинг